Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit einem erheblichen Anwendungspotential, da es physikalische und chemische Eigenschaften besitzt, die es in vielen Bereichen dem etablierten Silizium überlegen macht. Ein Anwendungsfeld liegt in der Leistungselektronik, wo der generelle Einsatz von SiC anstatt Silizium zu Einsparungen von mehreren Prozent des Gesamtstromverbrauchs führen wird. An der Realisation dieses Potentials arbeiten daher führende Industrieunternehmen weltweit, und sie werden in vielen Ländern durch langfristig angelegte, nationale Forschungsprogramme unterstützt. Unter dem Zwang zum wirtschaftlichen Erfolg werden dabei fast ausschließlich etablierte Verfahren der Kristallzucht und der Halbleitertechnologie verfolgt. Diese DFG-Forschergruppe will daher alternative Verfahren zur Kristallzucht und zur Prozessierung von SiC im Hinblick auf elektronische Anwendungen verfolgen.
Forschungsschwerpunkte
| Leitung Prof. Dr. Lothar Ley
Mitglieder PD Dr. Michel Bockstedte Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey apl. Prof. Dr. Martin Hundhausen Prof. i. R. Dr. Andreas Magerl Prof. Dr. Oleg Pankratov Prof. Dr.-Ing. Peter Wellmann Prof. i. R. Dr. rer. nat. Albrecht Winnacker
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